碳化硅的四大特性！
碳化硅是一种分子式合成碳化物SiC。二氧化硅和碳通电后通常是2000℃形成上述高温。
抗氧化
当碳化硅材料在空气中加热到1300℃二氧化硅保护层开始在碳化硅晶体表面产生。随着保护层的加厚，内部碳化硅继续被氧化，使碳化硅具有良好的抗氧化性。当温度达到1900K(1627℃)在上述情况下，二氧化硅保护膜开始受损，碳化硅氧化作用加剧，因此1900K碳化硅在含氧化剂气氛中的高工作温度。
电学性质
工业碳化硅是常温下的半导体，属于杂质导电性。随着温度的升高，高纯度碳化硅的电阻率下降，杂质碳化硅的导电性因杂质而异。碳化硅的另一种电性是电致发光，现在已经开发出了实用的设备。
物理机械性能
密度：各种碳化硅晶形颗粒密度非常接近，一般认为为.碳化硅磨料的自然堆积密度为20克/mm3.2--1.在6克/毫米3之间，其高度取决于粒度号、粒度组成和粒度形状。
硬度：碳化硅的莫氏硬度为9.2.威氏显微密度为3000--努普硬度为2670-2815kg/mm，磨料中高于刚玉，仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。
导热性：碳化硅产品导热性高，热膨胀系数小，抗热震性高，是优质耐火材料。
由于其硬度高、耐磨性高、耐腐蚀性高、高温强度高，是一种新型的工程陶瓷新材料。
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